9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZM55C11-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZM55C11-TR参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZM55C11-TR封装/规格：DIODE ZENER 11V 500MW MICROMELF。您可以下载BZM55C11-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZM55C10-TR是DIODE ZENER 10V 500MW MICROMELF，包括Digi-ReelR替代包装包装，其设计可在0.004762盎司单位重量下运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1.15 mm的高度特征，长度设计为1.9 mm，以及1.35 mm的宽度，无引线封装外壳，其工作温度范围为175°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的MicroMELF，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@7.5V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.065%/C，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZM55C10-TR3是DIODE ZENER 10V 500MW MICROMELF，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.35毫米宽，数据表中显示了用于10伏的Vz齐纳电压，提供10V等电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计为6%，以及0.065%/C电压温度系数，该设备也可以用作1.2V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.004762盎司，该设备采用MicroMELF供应商设备包提供，该设备最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为2-SMD，无引线，其工作温度范围为175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为1.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为15 Ohm，高度为1.15 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@7.5V，配置为单一。
BZM55C11，带有VISHAY制造的电路图。BZM55C11采用DO-213AB封装，是Diodes-Zener-Single的一部分。
