特色
- 高质量因数
- -55至125°C工作温度范围
应用
射频通信，工业
BB439E6327HTSA1
- 描述:二极管种类: 单个的 电容@Vr、法数: 6皮法 @ 25V, 1MHz 电容比值: 8 品质因数 (Q值): 600 @ 25V, 200MHz 供应商设备包装: PG-SOD323-2 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.67980 | 2.67980 |
| 200+ | 1.03707 | 207.41500 |
| 500+ | 1.00060 | 500.30350 |
| 1000+ | 0.98263 | 982.63700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.67980
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.68
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规格参数
- 二极管种类 单个的
- 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SC-76，SOD-323
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 PG-SOD323-2
- 部件状态 不适用于新设计
- 电容比值因素 C2/C25
- 最大反向峰值电压 28伏
- 电容@Vr、法数 6皮法 @ 25V, 1MHz
- 电容比值 8
- 品质因数 (Q值) 600 @ 25V, 200MHz
- 种类 -
BB439E6327HTSA1 产品详情
BB 439 E6327是一个具有单一配置的硅可变电容二极管。它适用于甚高频调谐电路应用。
BB439E6327HTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BB41-A0BT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | 间距：0.8mm | ¥20.72463 |
 | BB42-A0AT-1B-CHR | 深台帏翔 (STWXE) | 间距：0.8mm 公母：母 | ¥22.14341 |
 | BB42-60AT-1B-CHR | 深台帏翔 (STWXE) | 间距：0.8mm 公母：母 | ¥17.87657 |
 | BB41-80GT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：80 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥15.87978 |
 | BB41-80KT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：80 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥13.10528 |
 | BB42-80AT-1B-CHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：80 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥17.87657 |
 | BB41-40CT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：40 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥10.32028 |
 | BB41-80CT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：80 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥15.09157 |
 | BB41-80DT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：80 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥19.96795 |
 | BB41-60BT-1B-LHR | 深台帏翔 (STWXE) | PIN总数：60 间距：0.8mm 行数：2 安装方式：立贴 额定电流：500mA 工作温度范围：-40℃~+105℃ | ¥12.29605 |
BB439E6327HTSA1所属分类：可变电容（变容二极管、变抗器），BB439E6327HTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BB439E6327HTSA1价格参考￥2.679801，你可以下载 BB439E6327HTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BB439E6327HTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
