硅可变电容二极管
特色
- 适用于扩展频带的调频收音机调谐器
- 低电源电压下的高调谐比（车载收音机）
- 用于完美双二极管跟踪的单片芯片（公共阴极）
- 编码电容组和组匹配可用
- 无铅（符合RoHS）包装
应用
- 无线电广播
BB814E6327GR2
- 描述:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3752
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.60152 | 0.60152 |
| 200+ | 0.23278 | 46.55740 |
| 500+ | 0.22460 | 112.30100 |
| 1000+ | 0.22056 | 220.56100 |
- 库存: 23238
- 单价: ¥0.60152
-
数量:
- +
- 总计: ¥827.54
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 品质因数 (Q值) -
- 电容@Vr、法数 -
- 电容比值 -
- 电容比值因素 -
- 最大反向峰值电压 -
- 二极管种类 -
- 工作温度 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 安装类别 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
BB814E6327GR2 产品详情
BB814E6327GR2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BB8H-PC-028-G-4.27-HF-T/R | 美国亚当技术 (Adam) | 连接端子种类: 插头，外围板触点 针位数: twenty-eight 排数: two 间距: 0.031英寸（0.80毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装 | ¥38.9668 |
 | BB8H-SC-028-G-2.05-HF-T/R | 美国亚当技术 (Adam) | 连接端子种类: 插座，中心条形触点 针位数: twenty-eight 排数: two 间距: 0.031英寸（0.80毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装 | ¥38.9668 |
 | BB8H-SC-040-G-2.05-HF-T/R | 美国亚当技术 (Adam) | 连接端子种类: 插座，中心条形触点 针位数: forty 排数: two 间距: 0.031英寸（0.80毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装 | ¥47.73071 |
 | BB8H-PC-040-G-4.27-HF-T/R | 美国亚当技术 (Adam) | 连接端子种类: 插头，外围板触点 针位数: forty 排数: two 间距: 0.031英寸（0.80毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装 | ¥48.67229 |
 | BB804,215 | 恩智浦 (NXP) | 二极管种类: 1对公共阴极 电容@Vr、法数: 46.5皮法 @ 2V, 1MHz 电容比值: 1.75 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥22.27858 |
 | BB814E6359HTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | ¥0.90229 |
 | BB844E6327HTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 1对公共阴极 电容@Vr、法数: 8V、1MHz时为13皮法 电容比值: 3.8 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.50628 |
 | BB837E6327 | 英飞凌 (Infineon) | BB837 - SAT TUNER VARIABLE CAPAC | ¥0.86915 |
 | BB8914-48 | SCOTCH BIG BUBBLE PLASTIC MAILER | ¥0.00 | |
| BB8915-48 | SCOTCH BIG BUBBLE PLASTIC MAILER | ¥0.00 |
BB814E6327GR2所属分类：可变电容（变容二极管、变抗器），BB814E6327GR2 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BB814E6327GR2价格参考￥0.601523，你可以下载 BB814E6327GR2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BB814E6327GR2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
