小信号齐纳二极管
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
低噪音
AEC-Q101合格
BZX55C3V3-TAP
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.14123 | 0.14123 |
- 库存: 2468
- 单价: ¥0.14124
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度
- 公差 ±5%
- 最大功率 500 mW
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.5 V@200 mA
- 供应商设备包装 DO-35（DO-204AH）
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 2.A@1伏
- 标称齐纳电压 (Vz) 3.3伏
- 最大阻抗值 (Zzt) 85 Ohms
BZX55C3V3-TAP 产品详情
齐纳二极管500mW，BZX55C系列，Vishay半导体
BZX55C3V3-TAP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C43113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C43113 | ¥0.07098 |
| BZX884-B12315/BKN | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B12315/BKN | ¥0.36215 |
| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX55C3V3-TAP所属分类：单齐纳二极管，BZX55C3V3-TAP 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX55C3V3-TAP价格参考￥0.141237，你可以下载 BZX55C3V3-TAP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX55C3V3-TAP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
