9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX84C16-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C16-E3-08参考价格为0.25000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX84C16-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 16V 300MW SOT23-3。您可以下载BZX84C16-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BZX84C16-E3-08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX84C12-7-F是DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3，包括BZX84C12系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2，配置为单一，公差为±5%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大Zzt为25欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@8V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为12V，电压容差为5%，电压温度系数为8mV/C，齐纳电流为5mA，Zz齐纳阻抗为25欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX84C12_D87Z带用户指南，包括12V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），功率最大设计为350mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作to-236-3，SC-59，SOT-23-3封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有25欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@8V。
BZX84C12-7是DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3，包括100nA@8V电流反向泄漏Vr，设计用于25欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及切割胶带（CT）包装，该设备也可作为300mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-23-3，该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为12V。
