9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGF1AHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGF1AHE3/67A价格参考1.962美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGF1AHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA。您可以下载RGF1AHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RGF1AHE3/67A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RGF1A是DIODE GEN PURP 50V 1A SMA，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装类型，该设备也可以用作SMA（DO-214AC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为8.5pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，Pd功耗为1.76 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为150ns。
RGF1A-E3/67A是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在50V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214BA（GF1）的供应商设备包，该DO-214BB提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8.5pF@4V，1MHz。
RGF1A_NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。RGF1A_NL采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
