9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N3085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3085参考价格为1.236美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N3085封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC。您可以下载1N3085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3070TR是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-35等供应商设备包装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@175V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有500mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N3070_T50R，带用户指南，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@175V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
1N3070UR-1，带电路图，包括100mA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@175V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AA、DO-7、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-7供应商设备包，电压DC反向Vr Max为175V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
