9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVB120ESFT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVB120ESFT3G参考价格为0.38918美元。onsemi NRVB120ESFT3G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123。您可以下载NRVB120ESFT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVB1045MFST1G，带引脚细节，包括MBR1045MFS系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作，数据表注释中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500μA@45V，该器件提供750mV@20A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为10A，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的NRVB1045MFST3G，包括750mV@20A电压正向Vf Max。如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。该系列设计用于MBR1045MFS，除了磁带和卷轴（TR）交替封装外，该器件还可以用作8功率TDFN、5引线封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为500μa@45V，电流平均整流Io为10A。
NRVB120ESFT1G是二极管肖特基20V 1A SOD123，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@20V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，以及SOD-123封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为MBR120ESF，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包SOD-123，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为530mV@1A。
