9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N4003-B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4003-B参考价格$2.42。Diodes Incorporated 1N4003-B包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载1N4003-B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4003是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，例如0.008642盎司，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-55 C至+175 C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，设备在DO-41供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，If正向电流为1A，最大浪涌电流为30A。
1N4003/54，带用户指南，包括1.1V@1A正向电压Vf最大值。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr最大值下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
带电路图的1N4002WS 1N4002W在SOD-323封装中提供，是IC芯片的一部分。
