9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MBRD835LT4，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MBRD835LT4参考价格1.6美元。onsemi MBRD835LT4包装/规格：DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK。您可以下载MBRD835LT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBRD835LG是二极管肖特基35V 8A DPAK，包括SWITCHMODE？系列，它们被设计为与肖特基二极管产品一起工作，包装如数据表注释所示，用于管替代包装，该包装提供零件别名功能，如MBRD835LT4G，单位重量设计为0.009185盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63包装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DPAK-3，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1.4mA@35V，电压正向Vf Max If为510mV@8A，电压反向Vr Max为35V，电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.51 V，Ir反向电流为1400 uA，如果正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为75A。
MBRD835L是DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK，包括510mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在35V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了DPAK-3中使用的供应商设备包，该DPAK-3提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在SWITCHMODE？，除了管封装外，该器件还可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为1.4mA@35V，电流平均整流Io为8A。
MBRD835L-T是二极管肖特基35V 8A DPAK，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在1.4mA@35V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及to-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，该设备也可用作切割胶带（CT）封装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在DPAK供应商设备包中提供，该设备具有35V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为510mV@8A。
