9icnet为您提供由Central Semiconductor Corp设计和生产的CPD76X-1N5817-CT20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CPD76X-1N5817-CT20参考价格$150.0000。中央半导体公司CPD76X-1N5817-CT20封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=20。您可以下载CPD76X-1N5817-CT20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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CPD69-MR1-06M-CT20，带有引脚细节，包括托盘封装，它们设计为与裸片封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如裸片，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有1A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
CPD76X-1N5817-CT20，带用户指南，包括450mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在20V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于模具的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，包装设计为在托盘中工作，以及模具包装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有1mA@220V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
CPD69-MR1-06M-CT，带电路图，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，其工作温度结范围为-65°C~150°C，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）下工作，以及600V电压DC反向Vr Max，该器件也可以用作1.1V@1A电压正向Vf Max If。
CPD76X-1N5817-CT具有EDA/CAD模型，包括标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，它们设计为与肖特基二极管类型一起工作，其工作温度结范围为-65°C~150°C，提供正向电压Vf Max。如果功能如450mV@1A，反向电压Vr Max设计为20V，以及1mA@20V反向电流泄漏Vr，该器件也可以用作1A电流平均整流Io。
