9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBRB1635HE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB1635HE3/45参考价格为0.44美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MBRB1635HE3/45封装/规格：DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB。您可以下载MBRB1635HE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB1635-E3/81是DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该器件也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@35V，电压正向Vf Max If为630mV@16A，电压直流反向Vr Max为35V，电流平均整流Io为16A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.63 V，Ir反向电流为200 uA，如果正向电流为16 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBRB1635-E3/45是DIODE SCHOTKY 35V 16A TO263AB，包括35V Vrm重复反向电压，它们设计为在630mV@16A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于35V的直流反向电压Vr Max，其提供了0.63 V等正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有管交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为200 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为16 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μA@35V，电流平均整流Io为16A，配置为单一。
MBRB1635是二极管肖特基35V 16A D2PAK，包括16A电流平均整流Io，它们设计为在200μa@35V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-65°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可用作管包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有35V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为630mV@16A。
