9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的S2M-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2M-13参考价格$4.04。Diodes Incorporated S2M-13封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB。您可以下载S2M-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S2M是DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）包装，零件别名如数据表注释所示，用于S2M_NL，提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-65 C至+175 C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AA（SMB）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.15V@2A，电压反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为2.35W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为1000V，Ir反向电流为1uA，If正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
带有用户指南的S2M/54，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在2μs内工作，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@1000V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2M T/R，电路图由TSC制造。S2M T/R采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
