9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4937GP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4937GP参考价格为0.382美元。onsemi 1N4937GP包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO41。您可以下载1N4937GP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4937E-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011711盎司，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-204AL（DO-41）供应商设备包。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管型，该器件在600V时具有5μa的反向漏电Vr，正向电压Vf Max If为1.2V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，它的工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-50°C，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为200 ns。
1N4937GL-T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-41，提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A。
1N4937FRL，带有ON制造的电路图。1N4937FR L在DO-201封装中提供，是IC芯片的一部分。
