9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4446TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4446TR参考价格$0.27。onsemi 1N4446TR包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35。您可以下载1N4446TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4446 TR是DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@220V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@20mA，该设备提供100V电压直流反向Vr Max，该设备具有150mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~200°C。
1N4446_T50R，带用户指南，包括1V@20mA电压正向Vf最大值。如果设计为在100V电压直流反向Vr最大值下工作，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr，设计为在4ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
1N4446是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于25nA@20V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为散装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@20mA。
