9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4937RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4937RL参考价格$0.03000。onsemi 1N4937RL包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO41。您可以下载1N4937RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4937G-T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1N49系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.2V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为200ns。
1N4937L-T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4937L是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为散装，设备提供200ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-41，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.2V@1A。
