9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4935RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4935RL参考价格$4.164。onsemi 1N4935RL包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载1N4935RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4935RL价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4935G-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1N49系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65℃至+150℃，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，设备在DO-41供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为200ns。
1N4935GP-M3/54，带用户指南，包括1.2V@1A电压正向Vf Max，如果设计用于200V电压直流反向Vr Max，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及200ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4935L-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供200ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-41，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A。
