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1N6621US，带引脚细节，包括超快恢复整流器产品，设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，a的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于a-MELF，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@440V，该器件提供1.4V@1.2A电压正向Vf Max If，该器件具有440V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为440 V，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为20 A，恢复时间为45 ns。
1N6621是DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL，包括440 V Vr反向电压，它们设计为在1.4V@1.2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于440V的电压DC反向Vr Max，提供了1.6 V等Vf正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）以及30ns反向恢复时间trr下工作，该设备也可以用作45ns恢复时间。此外，该产品是超快恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有a轴封装外壳，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为20A，其最大工作温度范围+150°C，Ir反向电流为500nA，如果正向电流为2A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为500nA@440V，平均整流电流Io为1.2A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
1N6622是二极管GEN PURP 600V 1.2A AXIAL，包括1.2A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流特性（如2A、Ir反向电流）设计为在500 nA下工作，其最大工作温度范围为+150 C，该设备也可作为20 A最大浪涌电流使用，其最低工作温度范围为-65 C，该设备为通孔安装型，其工作温度结范围为-65℃~150℃，包装箱为A，轴向，包装为散装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为45 ns，反向恢复时间trr为45ns，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为A-PAK，Vf正向电压为1.6V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.2A，Vr反向电压为660V。
