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1N6629是DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL，包括散装封装，它们设计为通孔安装型，数据表注释中显示了用于a，轴向，提供安装型功能，如通孔，速度设计为快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管型，该器件还可以用作2μA@880V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.4V@1.4A，该器件提供880V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有1.4A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N6629US，带用户指南，包括1.4V@1.4A电压正向Vf Max。如果它们设计为在880V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了a-MELF中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，以及散装包装，该器件也可作为SQ-MELF封装盒使用，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μA@880V，电流平均整流Io为1.4A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
1N6630是DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL，包括40pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于1.4A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@990V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，包装是散装的，该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为990V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.4A。
