9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5822,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5822参考价格$90.67500。微芯片技术JATXV1N5822包装/规格:整流器。您可以下载JATXV1N5822英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N5814是DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA,包括军用MIL-PRF-19500/478系列,它们设计用于散装包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-203AA、DO-4、螺柱,提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A(DO-4),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@100V,器件提供950mV@20A电压正向Vf Max。如果,器件具有100V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为20A,反向恢复时间trr为35ns,电容Vr F为300pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N5819-1是DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41,包括490mV@1A正向电压Vf Max。如果设计用于45V直流反向电压Vr Max,则供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-41,该DO-41提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/586以及散装包装,该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~125°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为50μa@45V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为70pF@5V,1MHz。
JATXV1N5819UR-1是由Microsemi制造的肖特基二极管和整流器肖特基整流器。JATXV1N5819UR-1采用DO-213AB封装,是二极管、整流器-单体的一部分,支持肖特基二极管和整流器肖特基整流器、二极管肖特基45V 1A 2引脚DO-213AA。