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JATX1N3890是DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/304系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装箱，提供螺柱安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-203A，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1.5V@20A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为115pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N3890A是DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA，包括1.5V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-203AA（DO-4），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/304，以及200ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有底座、螺柱安装式安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为12A。
JATX1N3828DUR-1，带电路图，包括3μA@3V电流反向泄漏Vr，它们设计为在2欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供SMD/SMT等安装类型功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及DO-213AB、MELF（玻璃）封装盒，该装置也可以用作散装包装。此外，最大功率为1W，该设备为军用MIL-PRF-19500/115系列，该设备具有DO-213AB（MELF，LL41）供应商设备包，公差为±1%，单位重量为0.004021盎司，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压齐纳标称Vz为6.2V。
