9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N3890AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日3890AR参考价格为320.20500美元。微芯片技术JAN1N3890AR包装/规格：整流器。您可以下载JAN1N3890AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N3890是DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/304系列，设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装箱，提供螺柱安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1.5V@38A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N3828CUR-1带有用户指南，包括6.2V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了单位重量，用于0.004021盎司，提供±2%的公差特性，供应商设备包设计为在DO-213AB（MELF，LL41）以及军用MIL-PRF-19500/115系列中工作，该器件也可作为1W功率最大值使用。此外，该器件采用散装封装，采用DO-213AB，MELF封装盒，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为5.2 mm，阻抗最大值Zzt为2欧姆，直径为2.66 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@3V。
JAN1N3828DUR-1带电路图，包括3μA@3V电流反向泄漏Vr，设计用于直径2.66 mm的工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于2欧姆，提供5.2 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AB，MELF，装置采用散装包装，装置最大功率为1W，系列为军用，MIL-PRF-19500/115，供应商装置包装为DO-213A B（MELF，LL41），公差为±1%，单位重量为0.004021盎司，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压齐纳标称Vz为6.2V。
JAN1N33828D-1，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于SMD/SMT安装型，系列如军用MIL-PRF-19500/115数据表注释所示，提供DO-41等供应商设备包功能，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及散装包装，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，电压齐纳标称Vz为6.2V，该器件提供3μA@3V电流反向泄漏Vr，该器件具有2欧姆阻抗最大Zzt，最大功率为1W，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA，单位重量为0.004021盎司，公差为±1%。
