9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5806USE3/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5806USE3/TR参考价格为6.33000美元。Microchip Technology 1N5806USE3/TR封装/规格：UFR、FRR。您可以下载1N5806USE3/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5806US是DIODE GEN PURP 150V 1A D5A，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于SQ-MELF，a，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作D-5A供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为25pF@110V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为2.5 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为25 ns。
1N5805是DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL，包括875mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计用于125V电压直流反向Vr Max，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如25ns，包装设计用于批量工作，其工作温度结范围为-65°C~125°C。此外，安装类型为通孔安装，该器件采用通孔安装类型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@125V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@10V，1MHz。
1N5806TR，带电路图，包括2.5A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及a，轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的a-PAK，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
1N5806是整流器D MET 2.5A SFST 150V，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于单配置，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，提供Vf正向电压特性，如875 mV，Ir反向电流设计用于50 uA，以及35 a最大浪涌电流，该设备也可以用作25ns恢复时间。此外，如果正向电流为2.5 A，则该设备的反向电压为150 V Vr，最大工作温度范围为+175 C，工作温度范围在-65 C至+175 C之间，最小工作温度范围是-65 C。
