9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N6638U，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JAN1N6638库存参考价格为6.31496美元。Microchip Technology JAN1N6638U封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF。您可以下载JAN1N6638U英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N6631US带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/590系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，E的包装盒，该包装盒提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于D-5B，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在1100V时为4μA，器件提供1.6V@1.4A电压正向Vf Max。如果，器件具有1100V（1.1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.4A，反向恢复时间trr为60ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JAN1N6638和用户指南，包括1.1V@200mA电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于快速恢复=20mA（Io）的速度，提供了军用、MIL-PRF-19500/578等系列功能，反向恢复时间trr设计为20ns，以及散装包装，该器件也可用作D型轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@150V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
JAN1N6631U带有电路图，包括1.4A电流平均整流Io，它们设计为在4μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，E封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为60ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/590系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5B，直流反向电压Vr最大值为1000V（1kV），正向电压Vf最大值If为1.6V@1.4A。
