9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N4153UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日4153UR-1参考价格为10.53000美元。Microchip Technology JAN1N4153UR-1包装/规格：ZENER二极管。您可以下载JAN1N4153UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N415-1是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/337系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，该器件提供880mV@20mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有75V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为150mA（DC），反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JAN1N4148UR-1是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213，包括800mV@10mA电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-213AA，提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/241，以及20ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2.8pF@1.5V，1MHz。
JAN1N4150-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括200MA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备为军用MIL-PRF-19500/231系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为DO-35，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
JAN1N4150UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括表面安装型，设计用于标准二极管型，速度如数据表注释所示，用于小型信号=，提供军用、MIL-PRF-19500/231等系列功能，包装盒设计用于DO-213AA以及DO-213AB供应商设备包，该器件也可以用作散装封装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件提供50V电压DC反向Vr Max，该器件具有4ns反向恢复时间trr，电流平均整流Io为200mA（DC），电压正向Vf Max If为1V@200mA，电流反向泄漏Vr为100nA@50V。
