9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5812R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5812R参考价格为62.53500美元。Microchip Technology 1N5812R封装/规格：整流器二极管。您可以下载1N5812R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5811US是DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于SQ-MELF，B，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作B、SQ-MELF供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，正向电压Vf Max If为875mV@4A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为150 uA，如果正向电流为6 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为30 ns。
1N5812是DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA，包括950mV@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-203AA的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在15ns内工作等速度特性，该器件也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型螺柱安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电流平均整流Io为20A，电容Vr F为300pF@10V，1MHz。
带电路图的1N5811TR，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及B，轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有150V电压DC反向Vr Max，正向电压Vf Max If为875mV@4A。
