9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6623，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6623参考价格17.96000美元。Microchip Technology 1N6623封装/规格：DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL。您可以下载1N6623英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6621US，带引脚细节，包括超快恢复整流器产品，设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，a的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于a-MELF，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@440V，该器件提供1.4V@1.2A电压正向Vf Max If，该器件具有440V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为440 V，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为20 A，恢复时间为45 ns。
1N6622是DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL，包括660 V Vr反向电压，它们设计为在1.4V@1.2A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.6 V等正向电压特性，供应商设备包设计为在a-PAK中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该装置也可用作45ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为45 ns，该设备为超快恢复整流器产品，该设备具有大量包装，包装箱为a，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为20 a，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，电流平均整流Io为1.2A。
1N6622US是DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF，包括10pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@660V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，包装箱为SQ-MELF，A，设备采用散装包装，设备具有30ns的反向恢复时间trr，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为A-MELF，电压直流反向Vr最大值为660V，电压正向Vf最大值为1.4V@1.2A。
