9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5814，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JANTX1N5814参考价格127.65000美元。Microchip Technology JATX1N5814包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA。您可以下载JATX1N5814英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5811US是DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及SQ-MELF，B包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为B，SQ-MELF，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为875mV@4A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6 A，最大浪涌电流为125A，恢复时间为30ns。
JATX1N5811URS，带有用户指南，包括875mV@4A电压正向Vf Max，如果设计用于150V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于B、SQ-MELF，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及30ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@110V，1MHz。
JATX1N5812是DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA，包括300pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于20A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于底盘，螺柱安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱。此外，包装为散装，设备提供35ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/478系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-203AA（DO-4），电压直流反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为950mV@20A。
