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JATX1N5195是DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35,包括军用MIL-PRF-19500/118系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向的包装箱,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于DO-35,以及小信号=速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@200V,该器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果,该器件具有180V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为200mA,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N5196,带有用户指南,包括1V@100mA正向电压Vf Max,如果设计用于225V电压DC反向电压Vr Max,则供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-35,提供速度特性,如小信号=,系列设计用于军用MIL-PRF-19500/118,以及散装包装,该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@250V,电流平均整流Io为200mA。
JATX1N5195UR带有电路图,包括SMD/SMT安装类型,它们设计用于DO-213AA-2封装盒,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如0.001270盎司。