9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6641US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6641US参考价格9.33000美元。Microchip Technology 1N6641US封装/规格：二极管通用。您可以下载1N6641US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N6641US价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N6640US是DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D，包括散装封装，它们设计用于SQ-MELF、D封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如D-5D，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@200mA，该设备提供75V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有300mA（DC）的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N6637是DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL，包括5.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.5V@1A电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了用于0.004833盎司的单位重量，提供±5%的公差特性，供应商设备包设计为在E、轴向和5W功率最大值下运行，设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为E型，轴向，工作温度范围为-65°C~175°C，装置具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，阻抗最大Zzt为400欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@1V。
1N6636US是DIODE ZENER 4.7V 5W D5B，包括20μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于450 Ohm阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供SMD/SMT等安装类型功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及SQ-MELF，E封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，功率最大值为5W，该设备在D-5B供应商设备包中提供，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为1.5V@1A，电压齐纳标称Vz为4.7V。
1N6637US是DIODE ZENER 5.1V 5W D5B，包括表面安装型，它们设计用于SQ-MELF，E封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供供应商设备封装功能，如D-5B，封装设计用于散装，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件还可以用作5μA@1V电流反向泄漏Vr。此外，功率最大值为5W，设备提供5.1V电压齐纳标称Vz，设备阻抗最大值为400欧姆，电压正向Vf最大值为1.5V@1A，容差为±5%。
