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1N5550是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于B、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@9A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为60 uA，如果正向电流为5 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为2 us。
1N5546B是DIODE ZENER 33V 500MW DO35，包括33V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了用于0.004833盎司的单位重量，提供±5%等公差特性，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及500MW最大功率，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，装置具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，阻抗最大Zzt为113欧姆，电流反向泄漏Vr为10nA@29.7V。
1N5545B是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括10nA@27V电流反向泄漏Vr，设计用于112欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度范围为-65°C ~ 175°C，以及DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，最大功率为500mW，该设备采用DO-35供应商设备包提供，该设备具有±5%的公差，单位重量为0.004833 oz，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为30V。
1N5546BUR-1是Microsemi公司生产的齐纳二极管低压雪崩齐纳。1N5546BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管-齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管低压雪崩齐纳，齐纳二极管。
