9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N415-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日4153-1参考价格4.41000美元。Microchip Technology JAN1N415-1包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35。您可以下载JAN1N415-3-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N4148UR-1是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213，包括军用MIL-PRF-19500/241系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AA，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-213A，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，该器件的电压正向Vf Max为800mV@10mA。如果，该器件具有100V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为2.8pF@1.5V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N4150-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括1V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/231，以及4ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA。
JAN1N4150UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括200MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备为军用MIL-PRF-19500/231系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为DO-213AA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
