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JATX1N3595US,带引脚细节,包括军用MIL-S-19500-241系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于SQ-MELF,B的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于B,SQ-MELL,以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1nA@125V,该器件提供1V@200mA电压正向Vf Max If,该器件具有200A(DC)电流平均整流Io,反向恢复时间trr为3μs,其工作温度结范围为-65°C~150°C。
JATX1N3595AUR-1,带有用户指南,包括920mV@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在125V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-213AA中使用的供应商设备包,该设备提供了小信号=等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/241,以及3μs反向恢复时间trr,该装置也可以用作散装包装。此外,封装外壳为DO-213AA,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,反向极性,电流反向泄漏Vr为2nA@125V,电流平均整流Io为150mA。
JATX1N3595UR-1是DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213,包括150MA电流平均整流Io,它们设计为在125V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及DO-213AA包装箱,该设备也可以用作散装包装。此外,反向恢复时间trr为3μs,该设备为军用MIL-PRF-19500/241系列,该设备具有小信号=速度,供应商设备包为DO-213AA,电压DC反向Vr Max为125V,电压正向Vf Max If为920mV@100mA。