9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N3766R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JAN1N3766R参考价格为63.58500美元。Microchip Technology JAN1N3766R封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB。您可以下载JAN1N3766R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N3673AR是DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/260系列，设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供包装箱功能，如DO-203AA、DO-4、螺柱，安装类型设计用于底盘、螺柱安装以及DO-203AB（DO-4）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供5μA@1000V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.35V@38A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JAN1N3673A是DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA，包括1.35V@38A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-203AA（DO-4），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/260，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该设备采用螺钉安装式，该设备具有底座，螺柱安装式，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为12A。
JAN1N3766是DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装、，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱包装箱。此外，包装为散装，该设备为军用MIL-PRF-19500/297系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-5，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.4V@110A。
