9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5618US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5618美国参考价格9.24000美元。Microchip Technology JATXV1N5618US封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A D5A。您可以下载JATXV1N5618US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N5617是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/427系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供a、轴向等包装箱功能，安装类型设计用于通孔中，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@400V，该设备提供1.6V@3A正向电压Vf Max。如果，该设备具有400V直流反向电压Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为35pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N5618是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括1.3V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/427等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，与散装包装一样，该器件也可以用作A型轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，电流平均整流Io为1A。
JATXV1N5617US是DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及SQ-MELF，包装箱，该设备也可用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为150ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/429系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5A，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
