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JATX1N6642UBD，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/578系列，设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于3-SMD的封装盒，无引线，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于3-UB（3.09x2.45），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，该器件提供1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有75V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA（DC），反向恢复时间trr为20ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N6643是DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL，包括1.2V@100mA正向电压Vf Max。如果它们设计用于125V电压DC反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于05塑料包装的供应商设备包，该包装提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/578，以及6ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳是轴向的，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管型为标准型，电流反向泄漏Vr为50nA@220V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
JATX1N6642US是DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于300MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作SQ-MELF，D封装盒。此外，包装为散装，该设备以5ns反向恢复时间trr提供，该设备具有军用MIL-PRF-19500/578系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5D，电压DC反向Vr最大值为75V，电压正向Vf最大值If为1.2V@100mA。
