9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N6628US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N6628美国参考价格22.74000美元。Microchip Technology JATX1N6628US包装/规格：DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B。您可以下载JATX1N6628US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6627US是DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B，包括军用MIL-PRF-19500/590系列，它们设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SQ-MELF、E等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5B供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供2μA@440V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.35V@2A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为440V，电流平均整流Io为1.75A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
JATX1N6628是DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL，包括1.35V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在660V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于快速恢复=20mA（Io）的速度，其提供了军用、MIL-PRF-19500/590等系列功能，反向恢复时间trr设计为在30ns内工作，该器件也可以用作E，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@660V，电流平均整流Io为1.75A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
JATX1N6628U是DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF，包括1.75A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，E包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/590系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5B，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.35V@2A。
