9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N3595US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N3595美国参考价格12.49500美元。Microchip Technology JATX1N3595US包装/规格：DIODE GEN PURP 200MA B-MELF。您可以下载JATX1N3595US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N3595AUR-1，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/241系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了DO-213AA中使用的包装箱，提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-213A，以及小信号=速度，反向极性二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2nA@125V，该器件的正向电压Vf Max为920mV@100mA。如果该器件的反向电压Vr Max为125V，平均整流电流Io为150mA，反向恢复时间trr为3μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N3595A-1，带有用户指南，包括920mV@100mA电压正向Vf Max，如果设计用于125V电压直流反向Vr Max，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/241，以及3μs反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2nA@125V，电流平均整流Io为150mA。
JATX1N3595UR-1是DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213，包括150MA电流平均整流Io，它们设计为在125V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备为军用MIL-PRF-19500/241系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为DO-213AA，电压DC反向Vr Max为125V，电压正向Vf Max If为920mV@100mA。
