9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4458R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4458R参考价格为38.83500美元。Microchip Technology 1N4458R封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA。您可以下载1N4458R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4458是DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/162系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-203AA、DO-4、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50μA@800V，该器件提供1.5V@15A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为15A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N4454-TR是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AH（DO-35玻璃）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AH、DO-35轴向包装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该设备采用通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为150mA。
1N4454UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括200MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-213AA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
