9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4459，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4459参考价格38.83500美元。Microchip Technology 1N4459包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA。您可以下载1N4459英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4458R是DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/162系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-203AA、DO-4、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），以及快速恢复＝200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准的反向极性二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50μA@800V，该器件提供1.5V@15A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为15A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N4458是DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA，包括1.5V@15A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-203AA（DO-4）的供应商设备包，该DO-203A提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/162以及散装包装，该设备也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备提供底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50μa@800V，电流平均整流Io为15A。
1N4454UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括200MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-213AA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
