9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5621US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5621US参考价格为7.98000美元。Microchip Technology 1N5621US封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A D5A。您可以下载1N5621US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5621GP-E3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.012346盎司的包装，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-204AC（DO-15）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为0.5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为300 ns。
1N5621GP-E3/54是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向Vr Max，该800V提供了1.2 V的正向电压特性，单位重量设计为0.014991盎司，以及DO-204AC（DO-15）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列是SUPERECTFIERR，该设备提供300ns反向恢复时间trr，该设备具有300ns的恢复时间，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AC、DO-15，轴向，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为0.5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为500nA@800V，平均整流电流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
1N5621GPHE3/54是二极管GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括25pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以300ns反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-204AC（DO-15），电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.2V@1A。
