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JATX1N5417是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/411系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，具有通孔等安装方式特征，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及B，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在200V时电流反向泄漏Vr为1μa，电压正向Vf Max If为1.5V@9A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为150ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为150 ns。
JATX1N5418是DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.5V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供了1.5 V的正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及军用MIL-PRF-19500/411系列，该设备也可以用作150ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为150 ns，该设备为快速恢复整流器产品，该设备具有散装包装，包装箱为B，轴向，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-65℃~175℃，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最低工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为80 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为3A。
JATX1N5417US是DIODE GEN PURP 200V 3A D5B，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型功能，如表面安装，安装类型设计用于SMD/SMT，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作SQ-MELF，B封装盒。此外，包装为散装，设备提供150ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/411系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5B，直流反向电压Vr最大值为200V，正向电压Vf最大值为1.5V@9A。
