9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5623US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5623美国参考价格$9.48000。Microchip Technology JATX1N5623US包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A。您可以下载JATX1N5623US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5623是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/429系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供a、轴向、安装类型等包装箱功能，设计用于通孔，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@1000V，该器件提供1.6V@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为15pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为500 ns。
JATX1N5622US带有用户指南，其中包括1.3V@3A电压正向Vf Max，如果设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D-5A中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于军用，MIL-PRF-19500/427，以及2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@1000V，电流平均整流Io为1A。
JATX1N5622是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL，包括1A电流平均整流Io，设计用于500nA@1000V电流反向泄漏Vr，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~200°C，该装置也可作为A轴向包装箱使用。此外，包装是散装的，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/427系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
