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1N5419是DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于SQ-MELF，B，以及通孔安装类型，该设备也可以用作B，SQ-MELF供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@500V，正向电压Vf Max If为1.5V@9A，直流反向电压Vr Max为500V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为250ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为4.5 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为250 ns。
1N5420是DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1.5V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在B、SQ-MELF以及快速恢复=20mA（Io）速度下工作，该设备也可以用作400ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为400 ns，该设备为快速恢复整流器产品，该设备具有大量包装，包装箱为SQ-MELF，B，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-65℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为4.5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@600V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5419US是DIODE GEN PURP 500V 3A D5B，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@500V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作E-MELF包装盒。此外，包装为散装，设备提供250ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为D-5B，电压DC反向Vr Max为500V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A。
