9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N6626，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N6626参考价格为14.62500美元。Microchip Technology JATX1N6626包装/规格：DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL。您可以下载JATX1N6626英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6625US，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/585系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5A供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@1100V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.75V@1A的正向电压Vf Max If，直流反向电压Vr Max为1100V（1.1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为60ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
JATX1N6625是DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL，包括1.75V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1100V（1.1KV）电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/585等系列功能，反向恢复时间trr设计为60ns，除了散装包装外，该器件还可以用作A型轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@1100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在10V、1MHz时为10pF。
JATX1N6624US带有电路图，包括10pF@10V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@990V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，包装箱为SQ-MELF，A，该设备为散装包装，该设备具有50ns的反向恢复时间trr，系列为军用MIL-PRF-19500/585，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5A，电压DC反向Vr Max为990V，电压正向Vf Max If为1.55V@1A。
