9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N4946，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N4946参考价格为13.24500美元。Microchip Technology JATXV1N4946封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL。您可以下载JATXV1N4946英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N4942是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/359系列，设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供5.21 mm等长度特征，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供1μA@200V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.3V@1A的正向电压Vf Max If，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为45pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，直径为2.79mm。
JATXV1N4944是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/359等系列功能，反向恢复时间trr设计为150ns，以及散装包装，该器件也可作为A型轴向封装外壳使用，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，长度为5.21 mm，二极管类型为标准型，直径为2.79 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为1A，并且电容Vr F在12V、1MHz时为35pF。
JATXV1N4627UR-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA，包括5μA@5V电流反向泄漏Vr，设计用于1200欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C ~ 175°C，包装箱设计用于DO-213AA以及散装包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/435，该设备在DO-213AA供应商设备包中提供，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为6.2V。
