9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EGP30B，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EGP30B参考价格为0.35158美元。onsemi EGP30B包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD。您可以下载EGP30B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP30A-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 3A GP20，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.035627盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AA、DO-27、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为GP20，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，正向电压Vf Max If为950mV@3A，直流反向电压Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，2 A时Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为20 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为50 ns。
EGP30AHE3/54是DIODE GEN PURP 50V 3A GP20，包括950mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于GP20的供应商设备包，该GP20提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在SUPERECTIFIERR中工作，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为3A。
带有电路图的EGP30A-TP，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-201AE，轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-201AE，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@3A。
