9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVBM110LT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVBM110LT1G参考价格为0.15000美元。onsemi NRVBM110LT1G包装/规格：二极管肖特基10V 1A电源。您可以下载NRVBM110LT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVBM110ET1G是DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE，包括POWERMITER系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了DO-216AA中使用的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于POWERMITE，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@10V，设备提供的电压为595mV@2A电压正向Vf Max。如果设备具有10V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，则其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
NRVBD660CTT4G是二极管阵列肖特基60V 3A DPAK，包括60 V Vrm重复反向电压，它们设计为在6 a Vf正向电压下使用0.9 V，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供Si等技术特性，系列设计用于MBRD660CT，以及肖特基整流器产品，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DPAK-3，该器件为SMD/SMT安装型，其最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+175℃，Ir反向电流为0.1 mA，Ifsm正向浪涌电流为75 A，Ifs正向电流为6 A，配置为双重。
带电路图的NRVBD660CTRLG，包括卷筒包装。
