9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBAS40LT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SBAS40LT3G参考价格为0.09000美元。onsemi SBAS40LT3G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3。您可以下载SBAS40LT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SBAS21LT3G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOT-23-2（to-236），速度设计用于小信号=，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供250V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SBAS40LT1G是DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23，包括1V@40mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在40V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-23，该SOT-23提供速度特性，如小信号=，系列设计用于BAS40L，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1μa@25V，电流平均整流Io为120mA（DC），电容Vr F为5pF@1V，1MHz。
SBAS40-04LT1G是肖特基二极管和整流器SS SHKY DIO 40V TR，包括卷筒包装，设计用于BAS40-04L系列。
