9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBAS21HT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NSVBAS21HT3G参考价格为0.26000美元。onsemi NSVBAS21HT3G包装/规格：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323。您可以下载NSVBAS21HT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVBAS20LT3G，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOT-23-2（to-236），以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，器件提供1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有200V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
NSVBAS21HT1G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作SC-76、SOD-323包装盒，其工作温度结范围为-55°C～150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
带有电路图的NSVBAS21AHT1G，包括5pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于200mA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于40nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为小信号=，供应商设备包装为SOD-323，电压DC反向Vr最大值为250V，电压正向Vf最大值为1.25V@200mA。
